（二）DDR协议基础进阶——（Pinout信号组成、地址关系）_ddr信号-程序员宅基地

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一、DDR的信号分析
二、DDR颗粒的地址映射关系

一、DDR的信号分析

DDR在完整的PC端或移动电子消费端中属于芯片的外挂组件，其引脚信号按照功能可以分为6大类：前3类为时钟信号、地址及控制信号、数据信号；后3类为电源信号、接地信号、配置信号。
下面以DDR3为例，其具体的信号信息如下表：（带#的信号表示低电平有效信号）

分类	信号名	方向	源	描述
时钟复位及片选信号	CK，CK#	IN	系统时钟差分信号，上升沿/下降沿	差分时钟信号，由DDR Controller输出。所有地址和控制信号在CK#下降沿和CK的上升沿的交叉点被采样，数据选通（DQS# / DQS）参考交叉点
	CKE, (CKE0), (CKE1)	IN	时钟使能	CLock enable，主要应用于低功耗模式；一般情况下为高，只有当DDR进入的power_down或者自刷新模式下时，CKE信号才会拉低。
	CS#，(CS0#), (CS1#), (CS2#), (CS3#)	IN	Rank片选使能	Chip Select, CS#低有效，当该信号为高时，所有命令都会被masked(无效)，该信号主要用于多个RANK时的RANK组选择；一个Rank通常由多个DDR颗粒组成，由于这些颗粒复用同一个CS#信号，因此属于一片Rank
	ODT, (ODT0), (ODT1)	IN	阻抗匹配使能	ON-Die Termination，具体指在数据通道上对DDR颗粒内部的终端匹配电阻进行打开（使能）的信号：ODT信号可使能DDR3 SDRAM内部的RTT_NOM终端电阻。在x4/x8配置中，ODT仅对每个DQ、DQS、DQS#以及DM/TDQS、NU/TDQS#有用。在x16配置中，ODT仅对每个DQ、DQSU、DQSU#、DQSL、DQSL#、DMU以及DML有用。当MR1寄存器中禁止RTT_NOM时，ODT信号将不起作用
	RESET_n	IN	复位信号	DDR复位信号，低电平有效。正常操作过程中，保持高电平，主要用来复位memory内部的寄存器

CKE与CS#信号是一一对应的，当DDR SDRAM有多片Rank时，也就意味着存在多个CS#和CKE；例如当有2片Rank时，则必然存在CS0#和CS1#与之对应，同样存在CKE0和CKE1与子对应；从信号的角度来看，也就不存在所谓的CKE和CS#了。
在DDR3及更高版本协议的情况下，DDR SDRAM数据传输速率更快，其信号的质量更容易受影响，为了减少DDR信号质量对速度的影响，DDR相关协议对DDR的数据端管脚设计了终端匹配电阻，而终端匹配电阻的使能除了要先打开DDR的内部开关外，还需要外部的ODT信号进行精准控制。在写数据通道中，ODT信号会被用到。
CKE、CS#、ODT、ZQ信号属于同一种类型，即同一片Rank存在一组CKE、CS#、ODT、ZQ信号。

分类	信号名	方向	源	描述
信号组	RAS#/A16、CAS#/A15、WE#/A14	IN	命令输入	此组命令与CS_n可构成当前命令的输入编码，有多重含义。例如：当ACT命令时，即ACT#为低电平时，这三个信号作为地址线使用；当ACT#为高电平时，这三个信号作为命令编码使用。例如：读、写等其他命令操作都可通过这三个命令组合实现

RAS#、CAS#、WE#这三个信号与片选CS#信号，共同组成了DDR的命令信号组，同时CKE也参与了信号组，只是CKE大多数时间为高。（RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；）
DDR bank的选中过程即为DDR的激活，即ACTIVE也可认为是DDR的打开过程。而DDR bank的关闭则称子为DDR的预充电，即Precharge。

分类	信号名	方向	源	描述
地址和数据信号	BA0-BA2	IN	Bank地址信号	Bank Address，Bank选择
	A0 - A15	IN	Column/Row行列地址信号	Address地址总线：在ACT命令中作为行地址，在读写命令中作为列地址，从而可定位存储阵列中精确位置。A10/AP、A12/BC#可以作为额外的地址总线使用。在MRS命令中，地址总线还作为操作码使用，即写入模式寄存器的值。
	A10/AP	IN	自动刷新	Auto-Precharge，此位可控制读写操作完成后是否进行自动刷新操作，高电平为开启自动刷新操作，低电平为关闭自动刷新操作。该命令与读写命令同时使用。在PRE命令中，A10还可作为是否进行全bank操作的开关。如果仅有一个bank进行刷新，则由bank地址来确定哪个bank来进行操作。
	A12/BC#	IN	突发突变	Burst Chop，主要用来控制burst突发长度。通常情况下，DDR3的burst length的最小单位是8bit，而在一些特殊条件下（on-the-fly模式）Burst也可进行4bit传输，而砍掉剩下的4bit。在on-the-fly模式下，BC#信号会在读写数据期间进行采样，动态切换burst的传输长度为4bit或是8bit。
	DQ	IN/OUT	数据信号	Data input and output，双向数据总线：（低8位数据和高8位数据信号线，共16位数据信号线）若模式寄存器中使能了CRC功能，那么在数据burst结束时就会附加一段CRC码。若MR4中的A4为高电平，那么在测试中DQ0-3中的任意一根DQ信号都可以代表VREF的电平。
	DQU, DQL DQS, DQS# DQSU,DQSU# DQSL,DQSL#	IN/OUT	数据选通信号	Data Strobe，输入时与写数据同时有效，输出时与读数据同时有效。与读数据是边沿对齐的，但是跳边沿位于写数据中心。在x16系统中，DQSL对应DQL0-7，DQSU对应DQU0-7；DQS、DQSL、DQSU分别与DQS#、DQSL#、DQSU#对应为差分信号对。DDR3 SDRAM仅支持选通信号为差分信号，不支持单根信号的选通信号。
	TDQS, TDQS#	OUT	终端数据选通	Terminal Data Strobe，TDQS与TDQS#仅在x8系统中运用。当MR1寄存器中的A11为高电平时，DRAM就会使能相似终端阻抗（same terminal resistance）功能，同时TDQS与TDQS#将会应用于DQS与DQS#。当MR1寄存器中的A11为低电平时，DM/DBI/TDQS将会作为数据掩码或者数据总线翻转功能使用，且A12、A11、A10与TDQS#都不会使用。在x4和x16系统中DRAM的TDQS必须是禁用的，也就是MR1的A11永远为低电平。
	DM, (DMU), (DML）	IN	数据掩码、数据总线倒置	Data masked，DM作为写数据的掩码信号，当DM为高电平有效时，与DM同一拍的写数据是无效的。DM在DQS的两个条边沿都采样。在x16设备中，DMU对应数据高8位，DML对应数据低8位。TDQS仅支持x8设备。

除了A10和A12之外，RAS#/A16、CAS#/A15、WE#/A14也可以作为额外的地址总线使用，其中A16还有RAS#功能，A15有CAS#功能，A14有WE#功能，A12有BC#功能，A10有AP功能。
DQS，DQS#信号与DQ是数据信号是源同步的，两者属于伴生信号，其中DQS信号类似于Clk用来控制DQ的有效性。通常情况下，一个DQS控制一个8bit的数据，一个DQM（DM）控制一个8bit的数据。
~~1个DQS，1个DQM，8个DQ组成一组Bytelam，对于一个16bit的DDR颗粒，则有两组Bytelame~~。
TDQS，TDQS#信号不常用。

分类	信号名	方向	源	描述
DDR4新增信号	BG0 - BG1	IN	Bank选择	BG0-BG1可以选择当前的ACT、RD、WRT或者PRE命令是对哪一个Bank Group进行操作。在MRS命令中，BG0也参与模式寄存器的选择。在×4、×8系统中，有BG0与BG1。在x16系统中，仅有BG0。
	ALERT_n	IN/OUT	报警信号	警示：该信号可代表DRAM中产生的多种错误，如若命令与地址的奇偶校验错误、CRC校验错误。当出现CRC校验错误时，在对应周期中该信号将拉低，然后在重新恢复成高电平。在奇偶校验错误时，在对应周期中该信号拉低，在内部，当DRAM的操作周期完成时，该信号就会恢复成高电平。在连通性测试中，此信号在输入状态下工作，但是是否使用此信号，取决于系统的整体规划，若该信号没有使用，则需要在板上将该信号连接至VDD
	TEN	IN	测试模式使能信号	连通性测试使能：（高电平使能测试模式。正常操作过程中，必须拉低）
	PAR	IN	命令/地址信号的奇偶校验使能	可通过寄存器禁用或者使能。DDR4 SDRAM是支持奇偶校验的。一旦MR5被使能，DRAM将计算ACT#、RAS#/A16、CAS#/A15、WE#/A14、BG0-BG1、BA0-BA1、A0-A17的奇偶性。以上所有的输入的奇偶性都应该在时钟的上升沿与CS#为低电平时保持住。
	ACT#	IN	命令激活信号	这个信号为低电平时，可以通过A[14:16]地址信号线选择激活命令的行地址。为高电平时，Address信号线正常使用。此信号有效时，RAS#/CAS#/WE#将作为行地址的A16/A15/A14来使用

DDR4新增加了一些信号，其中常用到的有Bank group地址选择信号。一个DDR4 SDRAM 的DDR颗粒中中通常会包含多个Bank group，而每个Bank Group又会包含了多个Bank，因此在地址选择时应该首先选择BG地址。

分类	信号名	方向	描述
电源信号	VDD	supply	电源电压（core电源），1.5V+/-0.075V
	VSS	supply	地
	VDDQ	supply	DQ电源电压（IO电源），1.5V+/-0.075V
	VSSQ	supply	DQ地
	VREFCA	supply	地址、控制、命令（CA）的参考电压，VREFCA在所有时刻（包括自刷新）都必须保持规定的电压
	VREFDQ	supply	数据（DQ）的参考电压，VREFDQ在所有时刻（除了自刷新）都必须保持规定的电压
	ZQ, (ZQ0), (ZQ1), (ZQ2), (ZQ3)	supply	输出驱动校准的外部参考电压，这个引脚应该接240Ω电阻到VSSQ

二、DDR颗粒的地址映射关系

DDR协议规定了DDR Memory颗粒容量的类型多样，包含512M，1Gb，2Gb，4Gb，8Gb等不同种类，每一种Memory颗粒的又分为x4，x8，x16三种不同型号存储单元，各容量颗粒类型及其型号如下表：
在这里插入图片描述
以1Gb容量的DDR 颗粒为例对表格进行说明：

表中x4，x8，x16三种不同型号表明颗粒的存储单元数据位宽分别为4bit，8bit，16bit不同类型，各类型的地址及其空间分配是不同的（也有相同之处，如bank数量都为8），详情见表格的列。
以x16类型的颗粒为例，可见其行地址（Row Address）为A0-A12，共13bit，即有8K(2^13)个行地址，其列地址（Column Address）为A0-A9，共10bit，即有1K(2^10)个列地址。
Page size，即每行的存储的容量。Page size = 列地址数量 x 存储单元数据位宽 = 1K x 16bit = 2KB。
颗粒的总容量 = Banks x Row Address x Column Address x 存储单元数据位宽 = 8 x 8K x 1K x 16bit = 64M x 16bit = 1Gb。
A10不会被列地址使用，这是由于只有在发起读写命令时才会使用到列地址，而此时A10会与列地址进行搭配使用表明表明DDR的Auto-precharge状态，故不作为地址使用。
A10和A12会被行地址使用，这是由于在发起读写命令之前就会用到行地址，此时行地址处于ACTIVE激活状态，不需要用到Auto-precharge和BC Switch功能，故A10和A12会被作为地址使用。

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_46022434/article/details/122815333

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