”齐纳击穿“ 的搜索结果

     在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，从而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，电流急剧增加，这种击穿成为齐纳击穿。PN结二极管的开启电压是指当...

     PN结的击穿特性是再 PN 结器件中非常重要，它通常用来描述 PN 结在反向电压作用下的破坏性故障。了解和掌握 PN 结的击穿特性，对于设计、制造和使用 PN 结器件具有很大的意义。因此该部分内容也常常作为期末考、考研...

     什么是齐纳击穿? 1） 雪崩击穿随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞...

     为什么说浓度高的一侧电场越窄，浓度低的一侧电场越宽。首先我们要知道，由于晶格结构，半导体中的离子位置是固定住的，不会像电子一样移动。为了提高P，N半导体的载流子浓度我们就需要相应的掺杂硼，磷。...

     我们将讲解PN结的形成原理以及它的单向导电性，...什么是雪崩击穿与齐纳击穿？你真的理解这两种击穿的区别吗？我们将使用形象的比喻与放大镜原理从载流子的角度详尽地剖析它们，我们也将第一次使用到“偏置”这个术...

     齐纳二极管 齐纳二极管（Zener diode）又叫...在前面1-2节介绍反向击穿的时候，已经讲过齐纳击穿的原理，当二极管反向齐纳击穿时，电流会急剧变化，而电压几乎保持不变。如下图所示： 图 1-8.02 齐纳二极管可...

     齐纳二极管又叫稳压二极管，齐纳二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿...

     再接着探究，你就会了解到齐纳击穿（隧道击穿）、雪崩击穿… 按照惯例，还是先附上百度百科的概念吧 击穿就是坏了？ 击穿是不是就是管子坏掉了？一开始是这样想是正确的，但是慢慢学习模电你就会发现这个不正确...

     我是从这学来的，嫌麻烦可以看视频 ...seid=10195893809605231446&spm_id_from=333.337.0.0 雪崩击穿为什么温度越高，击穿电压越高？ 温度高时，晶格内的电子热运动加大，占据空间变大...齐纳击穿雪崩击穿两种击穿形式

     写在前面的话：这一系列文章主要是讲一些基本元件，虽然有关文章网上一搜一大把，不过我还是比较想从真正设计电路的角度来写一些自己的经验。电路设计大部分功能性电路其实都有固定的电路可以参考了，了解基本元件，...

     根据一篇博士论文复现一下，平行平面结的雪崩击穿过程，并且验证自己仿真的正确性以及可靠性。 问题描述： 根据论文描述的模型搭建相似数据以及模型进行仿真对比实验结果，得到一些出入。 首先介绍一下碰撞电离...

二极管

标签：   硬件

     上了年纪记忆不好，一些知识老是忘记，找起来又很浪费时间，有时候看过的文章还找不到了，所以对一些琐碎的东西记录，学校毕业基本没有干电子行业的师兄和同学，基本都是自己琢磨，水平比较菜，不喜欢勿喷，欢迎大佬...

     　2、齐纳击穿（参杂浓度高时），温度越高齐纳击穿所需要的电压越低。 　反向击穿后温度升高，电流乘以电压就是PN消耗的电功率，功率过大时发热明显，烧毁PN结。当温度没有达到烧毁的温度时，仍可工作。反向的工作...

     二极管的击穿通常有三种情况:雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在。对于齐纳管来说,两者的区别主要是：电压低于5－6V的齐纳管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为...

     姓名：齐纳 所属球队：艾米斯 国籍：葡萄牙 出生日期：1982-04-15 身高：171cm 体重：66kg 场上位置：后卫 球衣号码：20 2. 齐纳（阿拉伯语：زِنَاء‎）是伊斯兰教法所指穆斯林在婚姻关系之外的非法性关系。 ...

     雪崩击穿 发生在掺杂浓度较低，自由电子冲撞价离子 温度越高，雪崩击穿需要的击穿电压越高 ... 齐纳击穿 发生在掺杂浓度比较高的时候，自由电子直接跳出共价键 温度越高，齐纳击穿需要的击穿电压越低 ...

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