”MOSFET“ 的搜索结果
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个...
SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；
MOSFET SILVACO仿真 SILVACO 仿真程序和仿真结果
50mΩ，-4A,-30V,AO3401A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该装置适合用作负载开关或其他一般应用。
-4A -40V P沟道MOSFET场效应管中文手册,AO3401A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该装置适合用作负载开关或其他一般应用。
全面认识MOS管，一篇文章就够了
标签： MOS管
从原理到应用详细剖析MOS管
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
本文翻译自网络，如有侵权请联系小编VX:leeing137进行删除原文链接：https://www.elprocus.com/mosfet-as-a-switch-circuit-dia...
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元...
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
主要提供防静电TVS/ESD二极管 ，MOSFET，TSS半导体放电管，GDT气体放电管、 稳压管 ，压敏电阻 ，整流二极管，自恢复保险丝 ，电感等元件。能测试的封装类别有：DFN1006-3, DFN2020-6, DFN3.3X3.3,DFN5X6-8L,SOT-23,...
4.安装SI7110DN-T1-GE3： a. 将SI7110DN-T1-GE3放置在电路板上的正确位置上，确保引脚对齐。然后，根据电路设计，为SI7110DN-T1-GE3提供适当的信号和电源，进行功能测试和性能调试。5.软启动电路：在电源体系中，SI...
根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET则是由一个绝缘栅和源漏极组成。MOSFET又可以分为增强型和耗尽型两种类型。与晶体管相比...
一文详解| 通俗易懂讲解MOS管
标签： 笔记
通俗易懂讲解MOS管
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中*...
MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p区掺杂浓度对器件的影响，里面包括源码和对特性仿真曲线的详细分析。
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
②导通与关断延时：应用在PWM信号传输的应用场合，上升与下降时间会对MOSFET驱动所形成的占空比信号造成一定影响，使其无法达到0%~100%的占空比区间，均会有一定的占空比损失。周期值减去上升与下降时间之和所占周期...
根据MOSFET的简化模型，分析了导通损耗和开关损耗，通过典型的修正系数，修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗，计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小，可以...
死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究...
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
提出了一种低比导通电阻（R-{{rm on}，{rm sp}}）的可集成绝缘体上硅（MOSFET）MOSFET，并通过仿真研究了其机理。 SOI MOSFET具有双沟槽和双栅极（DTDG SOI）：漂移区中的氧化物沟槽，氧化物沟槽中的掩埋栅插图以及...
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 1）上下开关管50%占空比，1800对称的...
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护...
推荐文章
- 如何将xml转换为json_xml转json-程序员宅基地
- TCP 的那些事 | TCP报文格式解析_.tcp文件是图片吗-程序员宅基地
- python——stack()和unstack（）用法_unstack函数-程序员宅基地
- C语言调用sqlite3命令语句实现将txt文件导入到数据库中_从txt导入到sqlite-程序员宅基地
- AOP与OOP有什么区别，谈谈AOP的原理是什么，大厂Android高级面试题汇总解答-程序员宅基地
- 最小费用流_单向图费用流-程序员宅基地
- Python中的5个高阶概念属性的知识点！你要了解明白哦！_python属性的五大类-程序员宅基地
- python 基于PHP+MySQL的装修网站的设计与实现_python抓取装修需求-程序员宅基地
- ubuntu完美的nvidia驱动安装方式（ubuntu16+驱动410+cuda10.0）or（ubuntu16+驱动455+cuda11.1）_乌班图英伟达驱动选着哪个版本-程序员宅基地
- 解决redis超时io.lettuce.core.RedisCommandTimeoutException: Connection timed out after 5s-程序员宅基地