2021中考复习电学专题 电学计算题 .doc
2021中考复习电学专题 电学计算题 .doc
固溶体的结构和电学比较研究 V2O3 和 V2 xNixO3 (0 < x < 0.75) 固溶体的结构和电学比较研究 Patrick Roziera、Alicja Ratusznab 和 Jean Galya， * a 图卢兹/法国，CEMES / CNRS b 卡托维兹/波兰，西里西亚...
研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料，二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1680 cm2/Vs、方块电阻低至310 Ω，体现了HEMT材料良好的电学性能。原子力显微镜和...
【欧姆社 ※ 第07卷 ※ 漫画电学原理】.pdf
采用局部旋转密度近似的计算方法研究GaN材料中间带的电学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子质量分数为1156%.从电学性质的计算可以发现,这种材料具有对某个旋转态成分形成部分填充的独特性质,可用孤立...
根据由实测的石墨混凝土割线模量一应变与电导率一应变曲线得出的力学量与电学量之间的比拟关系，将力场转换为电场。这不仅为导电混凝土电学关系的获取提供了一条新的途径，也为结构的健康监测等提供了一种新的计算...
基于LabView的电学虚拟实验平台设计.doc
初中物理电学计算题欧姆定律电学综合电热经典题型.doc
中国科学技术大学电磁学C期中复习-电学部分
晶体和缺陷结构对体系中化合物电学和催化性能的影响 LaACaaCrBTibO3 [minus] x 1 晶体结构和压力下碱土金属低氮化物 EA2N（EA·Ca、Sr、Ba）和碱土金属氢化物氮化物的相变EA2NH (EA Ca, Ba) Grigori V. Vajeninea、...
初中电学基本电路图连接(电压表).pdf
电学综合练习.doc
研究了SiO2薄膜对晶体硅片的钝化作用及其对太阳电池电学性能的影响．基于PCID软件，对SiO2/SiN2双层膜结构的硅太阳电池进行模拟，分析了硅片前表面复合速率和体寿命对电学特性的影响．模拟结果表明，当前表面复合...
0501-电学难题总复习-初中物理电学六大专题解析.doc
初中物理电学经典题型汇编：初中物理电学实验经典题型汇编.doc
为了考察盐渍黄瓜的理化品质与电学参数的相关性，采用平行板电极法测量了黄瓜在不同盐渍时期于频率20～12 MHz下的复阴抗Z、相位角θ、并联等效电容Cp、导纳值Y，同时还测量了产品的7个理化指标。结果表明，黄瓜的...
研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...
标签： 平面
08_电学习题答案1
奥赛培训提高性实验-电学-测量电容与电阻
当前的材料层厚度测试大多采用光机械的方法，因其测试方法复杂、设备昂贵、测试时间长且很难集成到一个工艺控制监视（PCM)系统中，提出一种新颖的材料层厚度电学测试结构，该测试结构具有结构简单、测量方便并且便于...
以氧化锌、氧化错、氧化亚钻、氧化铬和氧化钐作为原料,经配料、球磨、造粒、压片和...而氧化钐摩尔分数为0.3％时,压敏陶瓷具有最佳非线性电学特性,非线性系数为35,压敏电压为435伏/毫米;继续增加氧化钐至摩尔分数为0.5
在分析材料物理性能测量原理的基础上,采用虚拟仪器技术对低温系统和测量仪表进行控制,搭建了材料电学性能和交流磁化率测量装置,使用LabVI EW程序进行信号采集、数据处理和实时显示,实现了测试的自动化和智能化。...
电学计算中如何确定电荷量的正负取值.pdf
系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明，衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响，对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向...
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后，傅里叶变换红外（FTIR）透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延（ME）技术，在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层，外延层的...
电 学 典 型 题1 、将电阻 R1接入某电路中，消耗的电功率为 P1，把另一电阻 R2与 R1串联后接入同一电路中，R2 消耗的电功率为 P2，且 P1：P2=36：5，R1>R2,那么 R1：R2
用碳纳米管（CNT）填充硅橡胶制备了碳纳米管/硅橡胶复合材料，并研究了复合材料的电学特性。结果表明：随着碳纳米管含量的增加，复合材料的电阻率急剧下降，当WCNT=0.075时，电阻率下降了约10个数量级。随着拉力增大...
本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参数(电导型号,掺杂浓度,少子寿命及雪崩击穿)和MOS特性(SiO_2厚度,平带电压及a系数)的...
为了提高电学演示实验的可见度和精确度，提出一种能实时展示实验操作过程、同步显示实验原理和实时采集实验数据的综合实验平台。利用简易的音频插孔，采用AT89C52单片机作为控制核心分析处理各种反馈信号，通过串口...