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FRAM

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     FRAM即铁电存储器。  FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走...

     新型的NVM主要有FRAM、RRAM、MRAM等,本文主要介绍FRAM的存储结构、对外接口及引脚定义、读写操作以及应用场景等。 技术优势 FRAM(Ferroelectric RAM)存储单元的基本原理是铁电效应,是应用铁电薄膜的自发性极化...

     FRAM是TI最新半导体技术在MCU上的应用。 其FRAM与普通的FLASH与SRAM比主要有两个优势: 1、FRAM像FLASH一样数据掉电不易失; 2、FRAM像SRAM一样,可以直接在上面运行程序; 所以FRAM可以身兼FLASH与RAM...

framset和fram的嵌套

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     摘要:介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM 与其它存储器进行比较, 分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808 为例说明并行FPGA 与8051 系列单片机的实际接口,...

     尽管FRAM和EEPROM都是非易失性存储器,但它们之间存在较大的区别。EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种可编程ROM,用于存储数据。EEPROM的擦除和编程操作是通过电子擦除和编程技术...

     在卫星上,外部重要数据和FRAM重要数据的区别主要在于它们存储的位置和特点。 外部重要数据通常存储在闪存或EEPROM等非易失性存储器中,这些存储器可在掉电后保留数据。外部重要数据通常是指一些系统配置信息、校准...

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